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Richard„XIWUER ist sehr innovativ. Sie haben die ausgezeichnete, intuitive Dienstleistung erbracht und untersucht voran die Zukunft hinsichtlich, was wir möglicherweise benötigten.“ -
Mike„Widmung XIWUERS zum Entwerfen von verschiedenen Spezifikationen, um unsere zwingenden Verarbeitungsbedingungen zu erfüllen ist ein Testament zu unseren Jahren der Forschung und Entwicklung.“ -
Heiraten Sie„XIWUER hat eindrucksvolle Forschungsfähigkeiten und zeigt gute Erstausführungsfähigkeiten und hohe Produktqualität.“
Ansprechpartner :
Wang Hong
Niedrigverlust-Hochspannungs-Doorknob-Kondensator mit hoher Spannungsfestigkeit und Isolationswiderstand für HF-Stromversorgung
| Herkunftsort | XIAN, SHANNXI CHINA |
|---|---|
| Markenname | XIWUER |
| Zertifizierung | ISO9001,ISO14001,OHSAS18001 |
| Modellnummer | CT8-1-40KV-150PF |
| Min Bestellmenge | 1 Stück |
| Preis | Verhandlungsfähig |
| Verpackung Informationen | Karton |
| Lieferzeit | 10-15 Tage |
| Zahlungsbedingungen | L/c, t/t |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 4.000.000 PC ein Jahr |
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xProduktdetails
| Hervorheben | Niedrigverlust-Hochspannungs-Doorknob-Kondensator,Hochspannungsfester HF-Stromversorgungskondensator,Hochisolationswiderstand HV-Doorknob-Kondensator |
||
|---|---|---|---|
Produkt-Beschreibung
Hochspannungs-Türklinkenkondensatoren für die HF-Stromversorgung
Technische Spezifikationen
| NEIN. | Spezifikation | Zerstreuung | Spannungsbeständig | Isolationswiderstand | Abmessungen (mm) |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 20 kV-2000 pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:45 | H:19 | L:23 | D:12 | M:5 |
| 2 | 20 kV-10000 pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:65 | H:15 | L:19 | D:12 | M:5 |
| 3 | 20 kV-18000 pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:80 | H:17 | L:25 | D:12 | M:5 |
| 4 | 30 kV-1000 pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:45 | H:24 | L:32 | D:12 | M:4 |
| 5 | 30 kV-2700 pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:60 | H:20 | L:28 | D:12 | M:4 |
| 6 | 30 kV-12000 pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:45 | H:19 | L:23 | D:12 | M:5 |
| 7 | 40kV-150pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:74 | H:18 | L:26 | D:12 | M:5 |
| 8 | 40 kV-500 pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:28 | H:33 | L:41 | D:8 | M:4 |
| 9 | 40 kV-7500 pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:80 | H:24 | L:29 | D:12 | M:6 |
| 10 | 40 kV-10000 pF | ≤0,0040 | 1,5Ur● 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:80 | H:22 | L:26 | D:16 | M:5 |
Anwendung in PECVD-Geräten
Unsere Hochspannungs-Türklinkenkondensatoren liefern eine stabile Hochspannung für Geräte zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD), die für die Halbleiter-, Photovoltaik- und optische Beschichtungsindustrie unerlässlich sind. Diese Kondensatoren ermöglichen die Abscheidung hochwertiger Dünnfilme bei niedriger Temperatur, indem sie durch eine effiziente HF-Stromversorgungsleistung ein stabiles, gleichmäßiges Plasma aufrechterhalten.
Technische Herausforderungen gemeistert
- Impedanzanpassung:Effiziente Leistungskopplung an dynamisch wechselnde Plasmalasten
- Hohe HF-Belastbarkeit:Widersteht elektrischen Belastungen durch Hochfrequenz und Spannung
- Wärmemanagement:Minimiert die Wärmeansammlung durch Dielektrikum- und Elektrodenverluste
- Langzeitstabilität:Verhindert Kapazitätsdrift, der sich auf die Abscheidungsrate und die Filmqualität auswirkt
Lösung: Türklinkenkondensatoren mit hohem Q und niedrigem ESR
- Effiziente Kraftübertragung:Ein niedriger ESR minimiert die Wärmeentwicklung bei hohen HF-Strömen
- Thermische Stabilität:Das temperaturkompensierte Keramikdielektrikum sorgt für eine stabile Kapazität
- Hohe Zuverlässigkeit:Die robuste Konstruktion gewährleistet eine lange Lebensdauer unter anspruchsvollen HF-Bedingungen
Kundenvorteile
- Verbesserte Filmqualität und -konsistenz durch stabile Impedanzanpassung
- Erhöhte Produktivität und Ausbeute bei reduzierten Prozessunterbrechungen
- Niedrigere Betriebskosten durch geringeren Energieverbrauch und weniger Wartung
Unsere Hochspannungs-Türklinkenkondensatoren dienen als „Impedanzharmonisator“ für PECVD-Geräte und ermöglichen eine präzise Abscheidung auf atomarer Ebene für eine überlegene Dünnschichtproduktion.
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